| 公開(公告)號 | CN1973831A |
| 公開(公告)日 | 2007.06.06 |
| 申請(專利)號 | CN200610165224.3 |
| 申請日期 | 2006.12.14 |
| 專利名稱 | 一種磁性超分子插層結構緩釋型雙氯芬酸鈉及其制備方法 |
| 主分類號 | A61K9/20(2006.01)I |
| 分類號 | A61K9/20(2006.01)I;A61K9/48(2006.01)I;A61K31/196(2006.01)I;A61K47/02(2006.01)I;A61P29/00(2006.01)I |
| 分案原申請?zhí)? | |
| 優(yōu)先權 | |
| 申請(專利權)人 | 北京化工大學 |
| 發(fā)明(設計)人 | 張 慧;鄒 亢;盤登科 |
| 地址 | 100029北京市朝陽區(qū)北三環(huán)東路15號 |
| 頒證日 | |
| 國際申請 | |
| 進入國家日期 | |
| 專利代理機構 | 北京科大華誼專利代理事務所 |
| 代理人 | 劉月娥 |
| 國省代碼 | 北京;11 |
| 主權項 | 一種磁性超分子插層結構緩釋型雙氯芬酸鈉，其晶體結構為類水滑石材料的晶體結構，其特征在于：化學式為：(M2+)1-x(N3+)x(OH)2(DIK-)α(Bn-)b·mH2O·kM’Fe2O4；其中(M2+)1-x(N3+)x(OH)2(DIK-)a(Bn-)b·mH2O簡寫為DIK-LDHs，M’Fe2O4為磁性物種，DIK-LDHs為包覆在M’Fe2O4外的雙氯芬酸鈉插層水滑石；其質量百分含量為：M’Fe2O4：1％～10％；DIK-LDHs：90％～99％，其中，DIK：40％～60％；M2+為二價金屬離子Zn2+、Mg2+中的任何一種；N3+為三價金屬離子Al3+、Fe3+中的任何一種；M’為Mg2+、Ni2+二價金屬離子其中的任何一種，M2+與M’相同或不同；DIK-代表層間一價布洛芬陰離子；Bn-為荷電量為n的無機陰離子，DIK-LDHs化學式中Bn-可以不存在或為CO32-、NO3-中的1～2種；x＝N3+/(M2++N3+)，0＜x＜1；a、b分別為DIK-、Bn-的數(shù)量，且滿足a+n×b＝x，m為結晶水數(shù)，0＜m＜5，k為M’Fe2O4分子系數(shù)。 |
| 摘要 | 一種磁性超分子插層結構緩釋型雙氯芬酸鈉及其制備方法，屬于水滑石材料技術領域。磁性雙氯芬酸鈉的化學式為：(M2+)1-x(N3+)x(OH)2(DIK-)a(Bn-)b·mH2O·kM’Fe2O4。其制備是先采用共沉淀法方法制備納米級磁性核，將該磁性核與相應的鹽溶液混合，再利用共沉淀法將雙氯芬酸鈉組裝入水滑石層間，同時得到含有磁性核的雙氯芬酸鈉插層水滑石。優(yōu)點在于：制備了一種新的磁性超分子插層結構雙氯芬酸鈉緩釋劑型；由于雙氯芬酸鈉插層在水滑石層間，可以增強其穩(wěn)定性，并提高其生物利用度；可以通過外加磁場達到提高分散性和靶向定位的效果；可實現(xiàn)對磁性藥物的結構、組成、磁性大小、釋放量和釋放持效期的調控。 |
| 國際公布 |
