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醫(yī)學(xué)影像專(zhuān)業(yè)三基考試?荚囶}

來(lái)源:本站原創(chuàng) 更新:2012-12-26 醫(yī)學(xué)三基考試論壇

醫(yī)學(xué)影像專(zhuān)業(yè)三基考試試題

1.IP的使用壽命一般在 (             )
A.1 000次曝光左右   B.5 000次曝光左右   C.10 000次曝光左右   D.20 000次曝光左右   E.30 000次曝光左右    
2.非晶硒平板型探測(cè)器儲(chǔ)存信息的元件是 (             )
A.TFT   B.a(chǎn)-Se   C.CSI    D.A/D轉(zhuǎn)換器   E.儲(chǔ)能電容   
 
3.非晶硅平板探測(cè)器型感光度相當(dāng)于 (             )
A.100度X線(xiàn)片   B.200度X線(xiàn)片   C.300度X線(xiàn)片   D.400度X線(xiàn)片   E.500度X線(xiàn)片 
  
4.CsI閃爍晶體直徑為 (             )
A.6μm左右   B.1μm左右   C.2μm左右   D.5μm左右   E.3μm左右 
  
5.非晶硒DR設(shè)備對(duì)環(huán)境溫度要求最高不能超過(guò) (             )
A.22℃   B.27℃   C.37℃   D.40℃   E.50℃    

6.DR設(shè)備的安裝縮光器照射野和指示燈照射野應(yīng)一致醫(yī)學(xué)全.在線(xiàn).網(wǎng).站.提供,允許誤差值為 (             )
A.<1%SID   B.<2%SID   C.<3%SID   D.<4%SID   E.<5%SID    

7.能將X線(xiàn)直接轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的是 (             )
A.膠片   B.影像板   C.CCD平板探測(cè)器   D.非晶硒平板探測(cè)器   E.非晶硅平板探測(cè)器   
 
8.與CR攝影比較,DR的最大優(yōu)勢(shì)是 (             )
A.?dāng)?shù)字圖像   B.激光打印   C.網(wǎng)絡(luò)傳輸   D.圖像后處理   E.曝光后立即出像   
 
9.?dāng)?shù)字X線(xiàn)攝影與常規(guī)X線(xiàn)攝影相同點(diǎn)是 (             )
A.成像方法   B.成像依據(jù)   C.影像診斷   D.圖像存儲(chǔ)   E.圖像傳輸    

10.為了使IP的殘留信息消失,必須采用 (             )
A.弱光照射   B.X線(xiàn)照射   C.紫外線(xiàn)照射   D.強(qiáng)光照射   E.紅光照射    

2012年臨床醫(yī)學(xué)三基備考試題及答案匯總

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